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CPV362M4K

CPV362M4K

僅供參考

型號 CPV362M4K
PNEDA編號 CPV362M4K
描述 IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,248
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 23 - 二月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPV362M4K資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPV362M4K
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
CPV362M4K, CPV362M4K數據表 (總頁數: 9, 大小: 230.8 KB)
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CPV362M4K規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)5.7A
功率-最大23W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.93V @ 15V, 3A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce0.45nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱19-SIP (13 Leads), IMS-2
供應商設備包裝IMS-2

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.1nF @ 25V

輸入

Standard

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Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

1.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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Chassis Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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功率-最大

3350W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

37nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

功率-最大

105W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

600pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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