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CRS12(TE85L,Q,M)

CRS12(TE85L,Q,M)

僅供參考

型號 CRS12(TE85L,Q,M)
PNEDA編號 CRS12-TE85L-Q-M
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 1A SFLAT
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,112
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CRS12(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CRS12(TE85L,Q,M)
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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CRS12(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果580mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 60V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123F
供應商設備包裝S-FLAT (1.6x3.5)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 38A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

10pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-76, SOD-323

供應商設備包裝

SOD-323

工作溫度-結點

150°C (Max)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 70A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-5

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