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CRZ11(TE85L,Q,M)

CRZ11(TE85L,Q,M)

僅供參考

型號 CRZ11(TE85L,Q,M)
PNEDA編號 CRZ11-TE85L-Q-M
描述 X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,388
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CRZ11(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CRZ11(TE85L,Q,M)
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
CRZ11(TE85L, CRZ11(TE85L數據表 (總頁數: 4, 大小: 289.72 KB)
PDFCRY91(TE85L數據表 封面
CRY91(TE85L數據表 頁面 2 CRY91(TE85L數據表 頁面 3 CRY91(TE85L數據表 頁面 4

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CRZ11(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)11V
公差±10%
功率-最大700mW
阻抗(最大值)(閽zt)30 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 7V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 200mA
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123F
供應商設備包裝S-FLAT (1.6x3.5)

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公差

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功率-最大

410mW

阻抗(最大值)(閽zt)

250 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123

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電壓-齊納(額定)(Vz)

18V

公差

±2.22%

功率-最大

590mW

阻抗(最大值)(閽zt)

20 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 12.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 24V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

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