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CS2G-E3/H

CS2G-E3/H

僅供參考

型號 CS2G-E3/H
PNEDA編號 CS2G-E3-H
描述 DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,160
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CS2G-E3/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CS2G-E3/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
CS2G-E3/H, CS2G-E3/H數據表 (總頁數: 4, 大小: 95.09 KB)
PDFCS2M-E3/H數據表 封面
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CS2G-E3/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 2A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.1µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F12pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.85V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

145ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 200V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

400ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

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