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CS3J-E3/I

CS3J-E3/I

僅供參考

型號 CS3J-E3/I
PNEDA編號 CS3J-E3-I
描述 DIODE GPP 600V 3.0A DO-214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,058
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CS3J-E3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CS3J-E3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
CS3J-E3/I, CS3J-E3/I數據表 (總頁數: 4, 大小: 77.92 KB)
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CS3J-E3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.8µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F26pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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1.1V @ 8A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

55pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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1000V

電流-平均整流(Io)

25A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.18V @ 78.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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