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CS8312YN8

CS8312YN8

僅供參考

型號 CS8312YN8
PNEDA編號 CS8312YN8
描述 IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CS8312YN8資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CS8312YN8
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
CS8312YN8, CS8312YN8數據表 (總頁數: 8, 大小: 59.02 KB)
PDFCS8312YN8數據表 封面
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CS8312YN8規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電7V ~ 10V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)-
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)-
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-PDIP

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驅動配置

-

頻道類型

-

驅動程序數量

-

門類型

-

電壓-供電

-

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

-

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

TC4426ACOA713

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

25ns, 25ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

MC33153P

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

11V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.2V, 3.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1A, 2A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

17ns, 17ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

MCP14700-E/MF

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

10ns, 10ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-DFN-EP (3x3)

EMB1412MY/NOPB

Texas Instruments

制造商

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

3.5V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 7A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14ns, 12ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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