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CSD16321Q5

CSD16321Q5

僅供參考

型號 CSD16321Q5
PNEDA編號 CSD16321Q5
描述 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 1,480,404
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD16321Q5資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD16321Q5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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CSD16321Q5規格

制造商
系列NexFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)31A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)3V, 8V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19nC @ 4.5V
Vgs(最大)+10V, -8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3100pF @ 12.5V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.9nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

235pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3850pF @ 25V

FET功能

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

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