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CSD19532Q5BT

CSD19532Q5BT

僅供參考

型號 CSD19532Q5BT
PNEDA編號 CSD19532Q5BT
描述 MOSFET N-CH 100V 100A VSON
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 13,008
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD19532Q5BT資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD19532Q5BT
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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CSD19532Q5BT規格

制造商
系列NexFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.9mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs62nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4810pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta), 195W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱8-PowerTDFN

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N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

950V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

93nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3300pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

450W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247

包裝/箱

TO-247-3

NTD4860NT4G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.4A (Ta), 65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1308pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.28W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BSZ065N03LSATMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

670pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 26W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

73nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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