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CSD19538Q3A

CSD19538Q3A

僅供參考

型號 CSD19538Q3A
PNEDA編號 CSD19538Q3A
描述 MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 26,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD19538Q3A資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD19538Q3A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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CSD19538Q3A規格

制造商
系列NexFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs59mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.8V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds454pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)2.8W (Ta), 23W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-VSONP (3x3.15)
包裝/箱8-PowerVDFN

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.15mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7174pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 160W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-PQFN (5x6)

包裝/箱

8-PowerVDFN

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20.9A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3062pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.6W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

195A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.65mOhm @ 195A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7590pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2116pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

69W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-PDFN (5x6)

包裝/箱

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