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CSD23203WT

CSD23203WT

僅供參考

型號 CSD23203WT
PNEDA編號 CSD23203WT
描述 MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 23,658
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD23203WT資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD23203WT
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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CSD23203WT規格

制造商
系列NexFET™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.3nC @ 4.5V
Vgs(最大)-6V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds914pF @ 4V
FET功能-
功耗(最大值)750mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-DSBGA
包裝/箱6-UFBGA, DSBGA

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1120pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

89W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 43W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

44mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

54W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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3.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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FET功能

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功耗(最大值)

1.5W (Ta), 119W (Tc)

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