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CSD25404Q3

CSD25404Q3

僅供參考

型號 CSD25404Q3
PNEDA編號 CSD25404Q3
描述 MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 121,308
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD25404Q3資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD25404Q3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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CSD25404Q3規格

制造商
系列NexFET™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)104A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.15V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14.1nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2120pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2.8W (Ta), 96W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-VSON (3.3x3.3)
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 2.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

58pF @ 25V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

210nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

280W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.9mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

154W (Tc)

工作溫度

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7.8A (Ta), 32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.78nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

584pF @ 20V

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