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CSD83325L

CSD83325L

僅供參考

型號 CSD83325L
PNEDA編號 CSD83325L
描述 MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD83325L資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD83325L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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CSD83325L規格

制造商
系列NexFET™
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID1.25V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.9nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大2.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-XFBGA
供應商設備包裝6-PicoStar

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N and P-Channel Complementary

FET功能

Logic Level Gate, 2.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 3.7µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.73nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

143pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 25V

功率-最大

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET功能

Logic Level Gate, 4.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A, 41A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 12V

功率-最大

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-PowerTDFN

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 15V

功率-最大

960mW

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 15V

功率-最大

445mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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