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CSD86336Q3DT

CSD86336Q3DT

僅供參考

型號 CSD86336Q3DT
PNEDA編號 CSD86336Q3DT
描述 SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 11,160
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD86336Q3DT資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD86336Q3DT
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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CSD86336Q3DT規格

制造商
系列NexFET™
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Logic Level Gate, 5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
功率-最大6W
工作溫度-55°C ~ 125°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-VSON (3.3x3.3)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

190Ohm @ 10mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.3W

工作溫度

-20°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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