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CSD86356Q5D

CSD86356Q5D

僅供參考

型號 CSD86356Q5D
PNEDA編號 CSD86356Q5D
描述 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD86356Q5D資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD86356Q5D
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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CSD86356Q5D規格

制造商
系列NexFET™
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Logic Level Gate, 5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
功率-最大12W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-VSON-CLIP (5x6)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

748nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20600pF @ 25V

功率-最大

1250W

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

功率-最大

1.1W

工作溫度

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A, 4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A, 2.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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