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CSD87313DMS

CSD87313DMS

僅供參考

型號 CSD87313DMS
PNEDA編號 CSD87313DMS
描述 MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
制造商 Texas Instruments
單價
1 ---------- $28.1752
100 ---------- $26.8545
250 ---------- $25.5338
500 ---------- $24.2131
750 ---------- $23.1125
1,000 ---------- $22.0119
庫存 12,182
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD87313DMS資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD87313DMS
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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CSD87313DMS規格

制造商
系列NexFET™
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID1.25V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs28nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4290pF @ 15V
功率-最大-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerWDFN
供應商設備包裝8-WSON (3.3x3.3)

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45V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta), 3.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 10V, 1700pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A, 8.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18.5mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1W, 1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

880mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 880mA, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

750mV @ 1.6µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.26nC @ 2.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

78pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1510pF @ 10V

功率-最大

1.7W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Siliconix

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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