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CSD87335Q3D

CSD87335Q3D

僅供參考

型號 CSD87335Q3D
PNEDA編號 CSD87335Q3D
描述 MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 46,733
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD87335Q3D資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD87335Q3D
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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CSD87335Q3D規格

制造商
系列NexFET™
FET類型2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID1.9V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1050pF @ 15V
功率-最大6W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerLDFN
供應商設備包裝8-LSON (3.3x3.3)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

305mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

400mW

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 10V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1984pF @ 6V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.1A, 20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.4mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 10V

功率-最大

3W, 5.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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