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CSD87352Q5D

CSD87352Q5D

僅供參考

型號 CSD87352Q5D
PNEDA編號 CSD87352Q5D
描述 MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 291,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD87352Q5D資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD87352Q5D
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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CSD87352Q5D規格

制造商
系列NexFET™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID1.15V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1800pF @ 15V
功率-最大8.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerLDFN
供應商設備包裝8-LSON (5x6)

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2 P-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

467pF @ 6V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

865pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

86mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 1mA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1130pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1225pF @ 25V

功率-最大

3.1W

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