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CSD87588N

CSD87588N

僅供參考

型號 CSD87588N
PNEDA編號 CSD87588N
描述 MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
制造商 Texas Instruments
單價
1 ---------- $35.6527
100 ---------- $33.9815
250 ---------- $32.3103
500 ---------- $30.6391
750 ---------- $29.2464
1,000 ---------- $27.8537
庫存 2,643
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD87588N資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD87588N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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CSD87588N規格

制造商
系列NexFET™
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.9V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.1nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds736pF @ 15V
功率-最大6W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱5-XFLGA
供應商設備包裝5-PTAB (3x2.5)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

240pF @ 25V

功率-最大

350mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 15V

功率-最大

10.4W

工作溫度

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.8A, 8.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21.8mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Diodes Incorporated

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

150mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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