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CSD88539ND

CSD88539ND

僅供參考

型號 CSD88539ND
PNEDA編號 CSD88539ND
描述 MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 11,697
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD88539ND資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD88539ND
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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CSD88539ND規格

制造商
系列NexFET™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A
Rds On(Max)@ Id,Vgs28mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.4nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds741pF @ 30V
功率-最大2.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40mA, 16mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 5V

功率-最大

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A, 1.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

325pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2.7W, 3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1240pF @ 25V

功率-最大

21W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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