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CSICD10-1200 TR13

CSICD10-1200 TR13

僅供參考

型號 CSICD10-1200 TR13
PNEDA編號 CSICD10-1200-TR13
描述 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A DPAK
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 3,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSICD10-1200 TR13資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSICD10-1200 TR13
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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CSICD10-1200 TR13規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 10A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr250µA @ 1200V
電容@ Vr,F500pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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1200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.55V @ 75A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

265ns

當前-反向泄漏@ Vr

420µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.33V @ 471A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

35mA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.36V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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