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CTLDM8120-M832DS BK

CTLDM8120-M832DS BK

僅供參考

型號 CTLDM8120-M832DS BK
PNEDA編號 CTLDM8120-M832DS-BK
描述 MOSFET DUAL N-CHANNEL
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 2,718
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CTLDM8120-M832DS BK資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CTLDM8120-M832DS BK
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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CTLDM8120-M832DS BK規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)860mA (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs150mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.56nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds200pF @ 16V
功率-最大1.65W
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TDFN Exposed Pad
供應商設備包裝TLM832DS

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

830pF @ 15V

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-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A, 22.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2127pF @ 25V

功率-最大

1.5W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

720mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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