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CTLT853-M833S TR

CTLT853-M833S TR

僅供參考

型號 CTLT853-M833S TR
PNEDA編號 CTLT853-M833S-TR
描述 SMT TRANS BIPOLAR PWR
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 8,226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CTLT853-M833S TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CTLT853-M833S TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
CTLT853-M833S TR, CTLT853-M833S TR數據表 (總頁數: 4, 大小: 670.69 KB)
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CTLT853-M833S TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)6A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic340mV @ 500mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)10nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 2A, 2V
功率-最大2.5W
頻率-過渡190MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝TLM833S

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

280MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 40mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 1.5A, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

400nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 1V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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