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CTLT953-M833S TR

CTLT953-M833S TR

僅供參考

型號 CTLT953-M833S TR
PNEDA編號 CTLT953-M833S-TR
描述 SMT TRANS BIPOLAR PWR
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 3,834
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CTLT953-M833S TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CTLT953-M833S TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
CTLT953-M833S TR, CTLT953-M833S TR數據表 (總頁數: 4, 大小: 711.72 KB)
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CTLT953-M833S TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic420mV @ 400mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)50nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1A, 1V
功率-最大2.5W
頻率-過渡150MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝TLM833S

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2mA, 10V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 20mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

12 @ 40mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 125mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 4V

功率-最大

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