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CUHS20F30,H3F

CUHS20F30,H3F

僅供參考

型號 CUHS20F30,H3F
PNEDA編號 CUHS20F30-H3F
描述 SCHOTTKY BARRIER DIODE, 30V/2A,
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 59,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CUHS20F30資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CUHS20F30,H3F
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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CUHS20F30規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果470mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr60µA @ 30V
電容@ Vr,F380pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱2-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝US2H
工作溫度-結點150°C (Max)

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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560mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

650µA @ 45V

電容@ Vr,F

740pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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