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CURMT105-HF

CURMT105-HF

僅供參考

型號 CURMT105-HF
PNEDA編號 CURMT105-HF
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123H
制造商 Comchip Technology
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CURMT105-HF資源

品牌 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CURMT105-HF
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
CURMT105-HF, CURMT105-HF數據表 (總頁數: 4, 大小: 95.81 KB)
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CURMT105-HF規格

制造商Comchip Technology
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F70pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123H
供應商設備包裝SOD-123H
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 30V

電容@ Vr,F

76pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 8A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

55pF @ 4V, 1MHz

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