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CUS10F40,H3F

CUS10F40,H3F

僅供參考

型號 CUS10F40,H3F
PNEDA編號 CUS10F40-H3F
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,988
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CUS10F40資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CUS10F40,H3F
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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CUS10F40規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果670mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr20µA @ 40V
電容@ Vr,F74pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝USC
工作溫度-結點150°C (Max)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

8pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

22pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

40mA @ 1600V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 600V

電容@ Vr,F

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