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CXDM4060P TR

CXDM4060P TR

僅供參考

型號 CXDM4060P TR
PNEDA編號 CXDM4060P-TR
描述 MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 14,340
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CXDM4060P TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CXDM4060P TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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CXDM4060P TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds750pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-89
包裝/箱TO-243AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.24nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

524pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

630mW (Ta)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

41mOhm @ 38A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 7.6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

298nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

199mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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功耗(最大值)

134.4W (Tc)

工作溫度

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.27Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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