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CXT5551 TR

CXT5551 TR

僅供參考

型號 CXT5551 TR
PNEDA編號 CXT5551-TR
描述 TRANS NPN 180V 0.6A SOT89
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 13,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CXT5551 TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CXT5551 TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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CXT5551 TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)160V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
功率-最大1.2W
頻率-過渡300MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝SOT-89

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1A, 1V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 8A, 5V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

450 @ 2mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 2.5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 1V

功率-最大

625mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

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