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CY14B101L-SZ35XCT

CY14B101L-SZ35XCT

僅供參考

型號 CY14B101L-SZ35XCT
PNEDA編號 CY14B101L-SZ35XCT
描述 IC NVSRAM 1M PARALLEL 32SOIC
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY14B101L-SZ35XCT資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY14B101L-SZ35XCT
類別半導體內存IC內存
數據表
CY14B101L-SZ35XCT, CY14B101L-SZ35XCT數據表 (總頁數: 20, 大小: 954.91 KB)
PDFCY14B101L-SZ45XIT數據表 封面
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CY14B101L-SZ35XCT規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝32-SOIC

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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Winbond Electronics

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內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

-

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

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時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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