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CY14B104L-ZS20XC

CY14B104L-ZS20XC

僅供參考

型號 CY14B104L-ZS20XC
PNEDA編號 CY14B104L-ZS20XC
描述 IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY14B104L-ZS20XC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY14B104L-ZS20XC
類別半導體內存IC內存
數據表
CY14B104L-ZS20XC, CY14B104L-ZS20XC數據表 (總頁數: 25, 大小: 791.82 KB)
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CY14B104L-ZS20XC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁20ns
訪問時間20ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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電壓-供電

-

工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

1Tb (128G x 8)

內存接口

MMC

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

32-PLCC (11.43x13.97)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

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安裝類型

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