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CY14B116N-BA25XIT

CY14B116N-BA25XIT

僅供參考

型號 CY14B116N-BA25XIT
PNEDA編號 CY14B116N-BA25XIT
描述 IC NVSRAM 16M PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,380
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY14B116N-BA25XIT資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY14B116N-BA25XIT
類別半導體內存IC內存

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CY14B116N-BA25XIT規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小16Mb (1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-LFBGA
供應商設備包裝60-FBGA (10x18)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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EEPROM

內存大小

2Kb (128 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

1.25MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

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