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CY14V116G7-BZ30XI

CY14V116G7-BZ30XI

僅供參考

型號 CY14V116G7-BZ30XI
PNEDA編號 CY14V116G7-BZ30XI
描述 IC NVSRAM 16M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY14V116G7-BZ30XI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY14V116G7-BZ30XI
類別半導體內存IC內存

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CY14V116G7-BZ30XI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小16Mb (2M x 8, 1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁30ns
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (15x17)

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

512Gb (64G x 8)

內存接口

MMC

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

45MHz

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-, 650µs

訪問時間

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

512Gb (64G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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