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CY62128BNLL-70SXET

CY62128BNLL-70SXET

僅供參考

型號 CY62128BNLL-70SXET
PNEDA編號 CY62128BNLL-70SXET
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOIC
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 10 - 十一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY62128BNLL-70SXET資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY62128BNLL-70SXET
類別半導體內存IC內存
數據表
CY62128BNLL-70SXET, CY62128BNLL-70SXET數據表 (總頁數: 12, 大小: 943.27 KB)
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CY62128BNLL-70SXET規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列MoBL®
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
供應商設備包裝32-SOIC

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

100ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

2Tb (256G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

267MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

10ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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