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CY62157DV30L-55ZSXE

CY62157DV30L-55ZSXE

僅供參考

型號 CY62157DV30L-55ZSXE
PNEDA編號 CY62157DV30L-55ZSXE
描述 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,006
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 20 - 三月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY62157DV30L-55ZSXE資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY62157DV30L-55ZSXE
類別半導體內存IC內存
數據表
CY62157DV30L-55ZSXE, CY62157DV30L-55ZSXE數據表 (總頁數: 12, 大小: 599.07 KB)
PDFCY62157DV30LL-55ZSXI數據表 封面
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CY62157DV30L-55ZSXE規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列MoBL®
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小8Mb (512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.2V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存類型

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內存格式

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內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

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安裝類型

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

200ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

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