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CY7C1011CV33-12ZSXE

CY7C1011CV33-12ZSXE

僅供參考

型號 CY7C1011CV33-12ZSXE
PNEDA編號 CY7C1011CV33-12ZSXE
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 106,368
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 4 - 十二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1011CV33-12ZSXE資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1011CV33-12ZSXE
類別半導體內存IC內存

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CY7C1011CV33-12ZSXE規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小2Mb (128K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

16Mb (528 Bytes x 4096 pages)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

85MHz

寫周期-字,頁

8µs, 6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-UDFN (5x6)

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (15x17)

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

30µs, 1.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

450ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-TFBGA

供應商設備包裝

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