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CY7C1021BN-15VXIT

CY7C1021BN-15VXIT

僅供參考

型號 CY7C1021BN-15VXIT
PNEDA編號 CY7C1021BN-15VXIT
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1021BN-15VXIT資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1021BN-15VXIT
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1021BN-15VXIT, CY7C1021BN-15VXIT數據表 (總頁數: 10, 大小: 474.42 KB)
PDFCY7C10211BN-10ZXCT數據表 封面
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CY7C1021BN-15VXIT規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (64K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁15ns
訪問時間15ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-SOJ

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

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內存接口

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電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

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