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CY7C1021CV26-15VXE

CY7C1021CV26-15VXE

僅供參考

型號 CY7C1021CV26-15VXE
PNEDA編號 CY7C1021CV26-15VXE
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,462
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1021CV26-15VXE資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1021CV26-15VXE
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1021CV26-15VXE, CY7C1021CV26-15VXE數據表 (總頁數: 15, 大小: 533.33 KB)
PDFCY7C1021CV26-15BAET數據表 封面
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CY7C1021CV26-15VXE規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (64K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁15ns
訪問時間15ns
電壓-供電2.5V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-SOJ

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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安裝類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Tb (128G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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