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CY7C1021CV33-10ZC

CY7C1021CV33-10ZC

僅供參考

型號 CY7C1021CV33-10ZC
PNEDA編號 CY7C1021CV33-10ZC
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1021CV33-10ZC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1021CV33-10ZC
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1021CV33-10ZC, CY7C1021CV33-10ZC數據表 (總頁數: 12, 大小: 231.23 KB)
PDFCY7C1021CV33-15ZC數據表 封面
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CY7C1021CV33-10ZC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (64K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存類型

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內存格式

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FLASH

內存大小

4Mb (264 Bytes x 2048 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

28-SOIC

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

PSRAM

技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-TFBGA (6x8)

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Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

32-TSOP

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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