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CY7C1041B-15VC

CY7C1041B-15VC

僅供參考

型號 CY7C1041B-15VC
PNEDA編號 CY7C1041B-15VC
描述 IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1041B-15VC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1041B-15VC
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1041B-15VC, CY7C1041B-15VC數據表 (總頁數: 11, 大小: 288.39 KB)
PDFCY7C1041B-15ZXC數據表 封面
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CY7C1041B-15VC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁15ns
訪問時間15ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-SOJ

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內存接口

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

60-TFBGA

供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

28-CerDip

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存大小

64Gb (8G x 8)

內存接口

Parallel

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-

訪問時間

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