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CY7C1041GN30-10BVXIT

CY7C1041GN30-10BVXIT

僅供參考

型號 CY7C1041GN30-10BVXIT
PNEDA編號 CY7C1041GN30-10BVXIT
描述 IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1041GN30-10BVXIT資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1041GN30-10BVXIT
類別半導體內存IC內存

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CY7C1041GN30-10BVXIT規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電2.2V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-VFBGA
供應商設備包裝48-VFBGA (6x8)

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時鐘頻率

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電壓-供電

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

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時鐘頻率

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內存類型

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (64M x 8, 32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

110ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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56-TSOP

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