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CY7C10612GE30-10ZSXI

CY7C10612GE30-10ZSXI

僅供參考

型號 CY7C10612GE30-10ZSXI
PNEDA編號 CY7C10612GE30-10ZSXI
描述 IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,518
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C10612GE30-10ZSXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C10612GE30-10ZSXI
類別半導體內存IC內存

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CY7C10612GE30-10ZSXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小16Mb (1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝54-TSOP II

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安裝類型

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

70ns

電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

FLASH

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FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

150MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

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安裝類型

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存接口

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