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CY7C1061G30-10ZXE

CY7C1061G30-10ZXE

僅供參考

型號 CY7C1061G30-10ZXE
PNEDA編號 CY7C1061G30-10ZXE
描述 IC SRAM 16M PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1061G30-10ZXE資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1061G30-10ZXE
類別半導體內存IC內存

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CY7C1061G30-10ZXE規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小16Mb (1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電2.2V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP I

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內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

6ns

電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-XFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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