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CY7C1061G30-10ZXI

CY7C1061G30-10ZXI

僅供參考

型號 CY7C1061G30-10ZXI
PNEDA編號 CY7C1061G30-10ZXI
描述 IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I
制造商 Cypress Semiconductor
單價
1 ---------- $445.5526
50 ---------- $424.6674
100 ---------- $403.7821
200 ---------- $382.8968
400 ---------- $365.4924
500 ---------- $348.0880
庫存 252
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1061G30-10ZXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1061G30-10ZXI
類別半導體內存IC內存

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CY7C1061G30-10ZXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小16Mb (1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電2.2V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP I

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM

內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

14ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

S25FL132K0XNFV013

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-WSON (6x8)

N25Q256A13ESF40G

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (64M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Adesto Technologies

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

8M (4096 pages x 256 bytes)

內存接口

SPI

時鐘頻率

85MHz

寫周期-字,頁

8µs, 4ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

CY62128EV30LL-45ZXIT

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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