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CY7C1168KV18-400BZXC

CY7C1168KV18-400BZXC

僅供參考

型號 CY7C1168KV18-400BZXC
PNEDA編號 CY7C1168KV18-400BZXC
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 21,864
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1168KV18-400BZXC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1168KV18-400BZXC
類別半導體內存IC內存

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CY7C1168KV18-400BZXC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, DDR II+
內存大小18Mb (1M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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Alliance Memory, Inc.

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - DDR3

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR3

內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.2V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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