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CY7C1263KV18-400BZI

CY7C1263KV18-400BZI

僅供參考

型號 CY7C1263KV18-400BZI
PNEDA編號 CY7C1263KV18-400BZI
描述 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1263KV18-400BZI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1263KV18-400BZI
類別半導體內存IC內存

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CY7C1263KV18-400BZI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II+
內存大小36Mb (2M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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內存接口

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時鐘頻率

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5ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

30ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-LCC (J-Lead)

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II+

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

450MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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技術

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內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-LFBGA

供應商設備包裝

54-LFBGA (8x13)

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