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CY7C1311SV18-250BZC

CY7C1311SV18-250BZC

僅供參考

型號 CY7C1311SV18-250BZC
PNEDA編號 CY7C1311SV18-250BZC
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1311SV18-250BZC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1311SV18-250BZC
類別半導體內存IC內存

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CY7C1311SV18-250BZC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小18Mb (2M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率250MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

75ns

訪問時間

75ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-TBGA

供應商設備包裝

64-EasyBGA (10x13)

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制造商

Alliance Memory, Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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