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CY7C1312KV18-300BZXCT

CY7C1312KV18-300BZXCT

僅供參考

型號 CY7C1312KV18-300BZXCT
PNEDA編號 CY7C1312KV18-300BZXCT
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1312KV18-300BZXCT資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1312KV18-300BZXCT
類別半導體內存IC內存

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CY7C1312KV18-300BZXCT規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小18Mb (1M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率300MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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內存接口

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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內存格式

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技術

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內存大小

576Mb (32M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

1.28V ~ 1.42V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Kb (32K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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