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CY7C1314KV18-250BZI

CY7C1314KV18-250BZI

僅供參考

型號 CY7C1314KV18-250BZI
PNEDA編號 CY7C1314KV18-250BZI
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1314KV18-250BZI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1314KV18-250BZI
類別半導體內存IC內存

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CY7C1314KV18-250BZI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率250MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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內存類型

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SDRAM

內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

128Mb (32M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

120MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-WSON (6x8)

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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