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CY7C1320JV18-250BZXI

CY7C1320JV18-250BZXI

僅供參考

型號 CY7C1320JV18-250BZXI
PNEDA編號 CY7C1320JV18-250BZXI
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價
1 ---------- $514.6252
50 ---------- $490.5021
100 ---------- $466.3790
200 ---------- $442.2560
400 ---------- $422.1534
500 ---------- $402.0509
庫存 191
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1320JV18-250BZXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1320JV18-250BZXI
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1320JV18-250BZXI, CY7C1320JV18-250BZXI數據表 (總頁數: 24, 大小: 592.81 KB)
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CY7C1320JV18-250BZXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, DDR II
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率250MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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內存接口

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時鐘頻率

16MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

60µs, 750µs

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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技術

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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內存類型

-

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-

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

200ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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