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CY7C1354D-200BZC

CY7C1354D-200BZC

僅供參考

型號 CY7C1354D-200BZC
PNEDA編號 CY7C1354D-200BZC
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,740
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1354D-200BZC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1354D-200BZC
類別半導體內存IC內存

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CY7C1354D-200BZC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.2ns
電壓-供電2.4V ~ 2.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.4ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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